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无源制程产品介绍

ipd2m

适用于无源电路芯片设计与制造；
匹配电路、功分器/合成器、滤波器、耦合器等。

gaas制程产品介绍

ppa25: 0.25 µm power phemt工艺

工艺特点：

0.25μm optical t-gate
平坦化工艺（离子注入隔离）
特殊 double recess结构
high-q 钝化层
mim 电容
tan 电阻（50ω/sq）
gaas 电阻
空气桥
背面通孔
protection overcoat(pbo)
operation up to vd=8v

典型技术参数：

i_dss=360ma/mm，g_m=450ms/mm，bv_gd=18v，v_th=-1.1v

适用于宽带、窄带中小功率放大器，可实现多种mmic

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